郭耀华
【姓名】 郭耀华
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 薄膜,低温等离子体,SnO_2,等离子体氮化,气敏,氮化物,表面分析,表面处理技术,气敏薄膜,工艺因素,改性技术,氮化时间,扩散能力,工艺温度,等离子体改性,氮化温度,应用研究,电阻炉,杂质,簿膜,原...
【工作单位】 东南大学
【曾工作单位】 东南大学;
【所在地域】
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[1]吕世骥,郭耀华,阮宝崧,蔡跃明.SiO_2薄膜的等离子体改性及其应用研究[J]真空科学与技术.1989,(04)
[2]吕世骥;蔡跃明;郭耀华;.等离子体氮化SiO_2膜中电子陷阱的研究[J]东南大学学报.1989,(02)
[3]郭耀华,邵力为,陈国平,张浩康,刘洁美.S枪制备的SnO_2气敏薄膜分析[J]传感技术学报.1990,(02)
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