陈新安
【姓名】 陈新安
【职称】
【研究领域】 自动化技术;无线电电子学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 硅直接键合,硅-硅直接键合,本征氧化物,界面氧化层模型,杂质分布,高温退火,弹性变形,杂质扩散系数,分凝系数,合应力,剥离应力,硅键合,界面应力,扩散模型,模拟结果,热应力,实验结果,正应力,二氧化硅...
【工作单位】 东南大学
【曾工作单位】 东南大学;
【所在地域】 甘肃南京
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[1]陈新安;黄庆安;.一种新型固态静电传感器的设计与模拟[J]仪表技术与传感器.2009,(S1)
[2]陈新安;黄庆安;.A novel SOI MOSFET electrostatic field sensor[J]半导体学报.2010,(04)
[3]陈新安;黄庆安;.MOSFET静电场传感器电场-电流特性的研究[J]仪表技术与传感器.2010,(06)
[4]陈新安;黄庆安;刘肃;李伟华;.硅-硅键合界面氧化层模型与杂质分布的模拟[J]固体电子学研究与进展.2006,(01)
[5]陈新安,黄庆安,李伟华,刘肃.硅/硅直接键合的界面应力[J]微纳电子技术.2004,(10)
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