学者知网节

【姓名】	陈军宁
【职称】	副教授;
【研究领域】	无线电电子学;物理学;电信技术;
【研究方向】	半导体和微电子学方面的研究
【发表文献关键词】	超薄膜,SOI技术,杂质浓度,体硅,SOI器件,CV数据,亚微米,VLSI,cv特性,逐点反求多次循环算法,阶跃分布,键合,发射阴极,硅膜,腐蚀,凸角补偿,硅,Kink效应,全耗尽,杂质分布,背栅,P...
【工作单位】	东南大学
【曾工作单位】	东南大学;
【所在地域】	南京

中国期刊全文数据库 共找到13篇

[1]黄庆安，陈军宁，张会珍，童勤义.键合Si／SiO_2／Si结构的C－V特征[J]半导体学报.1994,(05)

[2]黄庆安,张会珍,陈军宁,童勤义.硅直接键合局部应变的X—射线双晶衍射研究[J]仪器仪表学报.1994,(02)

[3]黄庆安，张会珍，陈军宁，童勤义.硅／硅直接键合应力的Raman谱研究[J]应用科学学报.1994,(03)

[4]付兴华,黄庆安,陈军宁,童勤义.硅直接键合工艺对晶片平整度的要求[J]电子科学学刊.1994,(03)

[5]陈军宁,童勤义.超薄膜SOI技术与亚微米VLSI[J]半导体技术.1991,(06)

[6]陈军宁,童勤义.SOI技术的现状及发展[J]微电子学与计算机.1992,(03)

[7]黄庆安,张会珍,秦明,陈军宁,童勤义.硅各向异性腐蚀制备尖端发射阴极的凸角补偿[J]云南大学学报(自然科学版).1992,(S1)

[9]陈军宁,黄庆安,张会珍,秦明,童勤义.硅/硅直接键合的界面杂质[J]固体电子学研究与进展.1993,(01)

[10]傅兴华,陈军宁,童勤义.高性能双极型集成电路晶体管[J]电子科学学刊.1993,(06)

今年新增/文献篇数	核心期刊论文数	基金论文数	第一作者篇数	总被引频次	总下载频次
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