吕世冀
【姓名】 吕世冀
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 少子产生寿命,离子注入,产生寿命,空间分布,表面产生速度,MOS电容,杂质分布,扫描率,反型,空间电荷区,耗尽区,非均匀,产生机构,横向扩展,体产生寿命,横向表,准中性,少子寿命,体区,线性扫描,
【工作单位】 东南大学
【曾工作单位】 东南大学;
【所在地域】
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[1]黄庆安,吕世冀.离子注入MOS有效少子产生寿命空间分布的确定[J]电子学报.1990,(05)
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