石井彰三
【姓名】 石井彰三
【职称】
【研究领域】 电力工业;无线电电子学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 沿面闪络,局部放电,电致发光,电极介质界面,电流细丝,场致电子发射,泄漏电流,聚四氟乙烯,硅半导体,电荷注入,表面态,交流电压,陶瓷绝缘材料,真空,真空溅射,聚合物,冲击电压,发光强度,光学方法,半导...
【工作单位】 东京工业大学
【曾工作单位】 东京工业大学;
【所在地域】 东京
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[1]张冠军,严璋,刘源兴,安冈康一,石井彰三.真空中冲击电压下硅半导体的泄漏电流及沿面闪络特性[J]电工技术学报.2000,(05)
[2]张冠军,杨敏中,严璋,刘源兴,石井彰三.真空中交流电压下聚合物沿面闪络前的发光特性[J]西安交通大学学报.2000,(04)
[3]张冠军,杨敏中,严璋,刘源兴,安冈康一,石井彰三.采用光学方法研究陶瓷绝缘材料的沿面闪络特性[J]中国电机工程学报.2000,(08)
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