黄流兴
【姓名】 黄流兴
【职称】 助理研究员;讲师;
【研究领域】 无线电电子学;物理学;
【研究方向】 半导体低温双极器件物理学方面的研究工作
【发表文献关键词】 硅双极器件,ECL电路,(改进)Gummel迭代,赝异质结,基区,器件模拟,双极器件,双极晶体管,电流增益,收敛速度,半导体器件模型,低温,晶粒间界,多晶硅发射极,低温频率特性,迭代方法,多晶硅,集电...
【工作单位】 东南大学
【曾工作单位】 东南大学;
【所在地域】 南京
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[1]黄流兴，魏同立.硅赝异质结双极晶体管的电学参数性能分析[J]东南大学学报.1994,(02)
[2]黄流兴，魏同立.多晶硅薄膜低温电学参数的模拟与分析[J]低温物理学报.1994,(04)
[3]黄流兴，魏同立.低温硅双极晶体管基区优化设计[J]固体电子学研究与进展.1994,(03)
[4]黄流兴,魏同立,郑茳,曹俊诚.低温多晶硅发射极晶体管电流增益模型和模拟[J]电子科学学刊.1994,(02)
[5]黄流兴,魏同立,郑茳.多晶硅发射极晶体管的低温频率特性研究[J]电子科学学刊.1994,(05)
[6]黄流兴,魏同立.高性能硅双极器件的发展[J]微电子学.1992,(06)
[7]曹俊诚,郑茳,魏同立,黄流兴.半导体器件模型的改进迭代方法[J]固体电子学研究与进展.1993,(04)
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