杨树贵
【姓名】 杨树贵
【职称】
【研究领域】 工业通用技术及设备;金属学及金属工艺;
【研究方向】
【发表文献关键词】 反应磁控溅射,离子镀,非晶态金属,真空制备装置,氮化,钛膜,氮分压,溅射靶,磁耦合,制备装置,TiN膜,溅射,氮气流量,工艺参数,薄膜质量,辊轮,基板温度,氮流量,极电压,基板偏压,氮化钛,真空,真空...
【工作单位】 东北工学院
【曾工作单位】 东北工学院;
【所在地域】
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[1]杨树贵,周卓.反应磁控溅射离子镀TiN膜的工艺参数[J]东北工学院学报.1987,(03)
[2]杨树贵,周卓.反应磁控溅射离子镀氮化钛薄膜质量与工艺参数的关系[J]无机材料学报.1988,(02)
[3]杨树贵;王静;刘玉娟;.碳化硅薄膜热敏材料的制备[J]仪表材料.1989,(01)
[4]杨树贵,王静,鲜于泽,徐成,金福祥,富春山,叶常青,景春华.非晶态金属真空制备装置[J]真空.1990,(05)
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