吴爱兰
【姓名】 吴爱兰
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 氮化硅,B类,芯片,C—V特性,电容值,A类,薄膜集成电路,测试仪,击穿电压,平板电容,电子科技大学,微型芯片,测试结果,特性测试,设计值,样管,电容器,半导体技术,本征,a-Si,
【工作单位】 电子科技大学
【曾工作单位】 电子科技大学;
【所在地域】
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[1]惠恒荣,吴爱兰,张东升,五室.引入a-Si:H材料的氮化硅芯片电容[J]半导体技术.1990,(01)
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