唐茂成
【姓名】 唐茂成
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 发射极开关晶闸管,基区,可关断晶闸管,晶闸管,MOS控制,正向,关断,正向特性,数值模拟,解析分析,功率器件,主晶,发射极,沟道,关断能力,数值分析,开关类,空穴电流,浮置,关断过程,工作区,闸管,新...
【工作单位】 电子科技大学
【曾工作单位】 电子科技大学;
【所在地域】 成都
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[1]王新，唐茂成，李肇基，梁春广.功率器件发展及新型可关断晶闸管[J]半导体情报.1994,(06)
[2]王新，李肇基，唐茂成.发射极开关晶闸管正向特性数值分析[J]半导体情报.1994,(06)
[3]王新，李学宁，李肇基，唐茂成.新型发射极开关类晶闸管[J]微电子学.1995,(03)
[4]王新，李肇基，唐茂成.发射极开关晶闸管正向特性分析[J]电子学报.1996,(02)
[5]李学宁,李肇基,吴世勇,唐茂成.新结构MOS/晶闸管的器件机理与研制[J]半导体学报.1997,(01)
[6]张波,唐茂成.平面型单片功率达林顿复合管[J]微电子学与计算机.1990,(09)
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