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龙飞
【姓名】
龙飞
【职称】
【研究领域】
无线电电子学;电信技术;仪器仪表工业;
【研究方向】
GaN基器件
【发表文献关键词】
表面态,HEMT,电流崩塌效应,GaN,脉冲测试,电流崩塌,氮化镓,薄膜电阻,栅脉冲,崩塌效应,陷阱电荷,漏极电流,AlGaN/GaN,二维电子气,脉冲宽度,器件,测试结果,电荷输运,耗尽层,输运过程...
【工作单位】
电子科技大学
【曾工作单位】
电子科技大学;
【所在地域】
重庆
学术成果产出统计表
今年新增
/文献篇数
核心期刊论文数
基金论文数
第一作者篇数
总被引频次
总下载频次
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/
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5
8
19
2298
文献数(该学者统计年度当年发文总文献数)
被引频次(该学者统计年度当年发文总被引频次)
浏览趋势(该学者统计年度当年发文总浏览频次)
下载频次(该学者统计年度当年发文总下载频次)
学术成果产出明细表
中国期刊全文数据库
共找到5篇
[1]龙飞;杜江锋;罗谦;夏建新;杨谟华;.
应力条件下AlGaN/GaN HEMT电流崩塌效应研究
[J]半导体技术.2006,(03)
[2]罗谦;杜江锋;罗大为;朱磊;龙飞;靳翀;周伟;杨谟华;.
GaN基HEMT器件的表面陷阱充电效应研究
[J]半导体技术.2006,(11)
[3]罗谦;杜江锋;靳翀;龙飞;周伟;夏建新;杨谟华;.
GaN基HEMT器件的表面陷阱电荷输运过程实验研究
[J]微电子学.2006,(06)
[4]龙飞;杜江锋;罗谦;靳翀;杨谟华;.
栅脉冲下AlGaN/GaN HEMT电流崩塌效应研究
[J]电子器件.2007,(01)
[5]龙飞,杜江锋,罗谦,靳翀,周伟,夏建新,杨谟华.
脉冲条件下GaN HEMT电流崩塌效应研究
[J]微电子学.2005,(05)
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中国优秀硕士学位论文全文数据库
共找到4篇
[1]龙飞.
项目管理在苍溪县电子政务外网建设项目中的应用研究
[D].电子科技大学.2018
[2]龙飞.
GaN HEMT电流崩塌效应机理与实验研究
[D].电子科技大学.2006
[3]龙飞.
基于舰载飞机的飞推综合控制研究
[D].电子科技大学.2007
[4]龙飞.
基于TMN的综合网管告警模块研究与实现
[D].电子科技大学.2007
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中国重要会议全文数据库
共找到2篇
[1]刘昌林;李仁豪;唐绍凡;周旭东;龙飞;.
512×512元高帧速可见光CCD
[A].2004全国图像传感器技术学术交流会议论文集.2004-06-30
[2]龙飞;.
面向RFID标签芯片的天线设计
[A].2008年中国西部青年通信学术会议论文集.2008-12-01
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研究方向相近的学者
(学者,学者单位)
孟小碧
广西大学
夏小林
四川师范学院
吴述尧
中国科学院物理研究所
王树珠
南京电子器件研究所
吴英
南京电子器件研究所
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合作过的学者
(学者,学者单位,篇数)
周伟
电子科技大学
3
朱磊
电子科技大学
1
靳翀
电子科技大学
4
杜江锋
电子科技大学
4
杨谟华
电子科技大学
4
罗大为
电子科技大学
1
罗谦
电子科技大学
4
夏建新
电子科技大学
2
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