角野浩二
【姓名】 角野浩二
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 氧沉淀,Si单晶,Fe掺杂,Fe杂质,金属杂质,成核中心,团族,等温退火,氧原子,退火时间,固体物理,Cu杂质,成核,密度,沉淀物,衬度,势垒,沉淀速率,南京大学,冷却过程,
【工作单位】 东北大学
【曾工作单位】 东北大学;
【所在地域】 日本
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[1]沈波,杨凯,张序余,施洪涛,张荣,施毅,郑有炓,关口隆史,角野浩二.直拉型Si单晶中金属杂质对氧沉淀行为的影响[J]半导体学报.1997,(02)
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