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励晔
【姓名】
励晔
【职称】
【研究领域】
无线电电子学;
【研究方向】
【发表文献关键词】
束缚能,缺陷模型,退火过程,离子注入,数值模拟,间隙原子,退火时间,时间常数,硼原子,演化模型,杂质分布,异常分布,趋势一致,指数变化,分布变化,模型模拟,动力学方程,物理现象,异常变化,杂质,
【工作单位】
电子科技大学
【曾工作单位】
电子科技大学;
【所在地域】
成都
学术成果产出统计表
今年新增
/文献篇数
核心期刊论文数
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第一作者篇数
总被引频次
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文献数(该学者统计年度当年发文总文献数)
被引频次(该学者统计年度当年发文总被引频次)
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下载频次(该学者统计年度当年发文总下载频次)
学术成果产出明细表
中国期刊全文数据库
共找到1篇
[1]励晔,夏建新,安娜.
退火过程中R_P缺陷模型及数值模拟
[J]半导体学报.2005,(06)
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中国优秀硕士学位论文全文数据库
共找到1篇
[1]励晔.
Si离子注入后B在退火过程中析出模型的研究
[D].电子科技大学.2005
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