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秦建勋
【姓名】
秦建勋
【职称】
【研究领域】
无线电电子学;
【研究方向】
【发表文献关键词】
4H-SiC,MESFET,沟道,截止频率,栅长,掺杂浓度,栅压,频率特性,耗尽区,栅电容,器件结构,功率特性,栅漏电容,物理参数,大功率,SiC材料,厚度增加,对栅,高频功率,SiC器件,
【工作单位】
电子科技大学
【曾工作单位】
电子科技大学;
【所在地域】
四川成都
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学术成果产出明细表
中国期刊全文数据库
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[1]秦建勋,卢豫曾,鞠家欣.
4H-SiCMESFET频率特性研究
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