靳翀
【姓名】 靳翀
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;
【研究方向】 GaN基功率器件
【发表文献关键词】 欧姆接触,比接触电阻,表面态,GaN,HEMT,电流崩塌效应,脉冲测试,氮化,MSM结构,紫外探测器,光电流,陷阱,电流崩塌,氮化镓,脉冲宽度,漏极电流,电子技术,薄膜电阻,快速热退火,测试结果,欧姆...
【工作单位】 电子科技大学
【曾工作单位】 电子科技大学;
【所在地域】 成都
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[1]赵子奇;杜江峰;罗谦;靳翀;杨谟华;.表面态对GaN HEMT电流崩塌效应影响的研究[J]微纳电子技术.2006,(03)
[2]靳翀;卢盛辉;杜江锋;罗谦;周伟;夏建新;杨谟华;.GaNHEMT栅源与栅漏表面态与电流崩塌相关性探讨[J]微纳电子技术.2006,(06)
[3]周飞跃;杜江锋;于奇;靳翀;罗谦;杨谟华;.GaN基MSM结构紫外探测器光响应特性[J]半导体光电.2006,(04)
[4]罗谦;杜江锋;罗大为;朱磊;龙飞;靳翀;周伟;杨谟华;.GaN基HEMT器件的表面陷阱充电效应研究[J]半导体技术.2006,(11)
[5]罗谦;杜江锋;靳翀;龙飞;周伟;夏建新;杨谟华;.GaN基HEMT器件的表面陷阱电荷输运过程实验研究[J]微电子学.2006,(06)
[6]龙飞;杜江锋;罗谦;靳翀;杨谟华;.栅脉冲下AlGaN/GaN HEMT电流崩塌效应研究[J]电子器件.2007,(01)
[7]严地;罗谦;卢盛辉;靳翀;罗大为;周伟;杨谟华;.AlGaN/GaN HEMT击穿特性与受主陷阱相关性研究[J]半导体技术.2007,(03)
[8]罗大为;卢盛辉;罗谦;杜江锋;靳翀;严地;.栅脉冲条件下GaN MESFET电子温度分布仿真[J]微纳电子技术.2007,(02)
[9]卢盛辉;杜江锋;靳翀;周伟;杨谟华;.AlGaN/GaN HEMT栅阶跃脉冲响应实验研究[J]固体电子学研究与进展.2007,(03)
[10]杜江锋;赵金霞;伍捷;杨月寒;武鹏;靳翀;陈卫;.具有场板结构GaN HEMT电场分布解析模型[J]电子科技大学学报.2008,(02)
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中国优秀硕士学位论文全文数据库    共找到1篇
[1]靳翀.AlGaN/GaN HEMT电流崩塌机理研究[D].电子科技大学.2006
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