龙远东
【姓名】 龙远东
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 阈值电压,电荷共享模型,自对准双扩散MOS器件,双扩散,自对准,MOS器件,沟道,耗尽层宽度,沟道区,MEDICI,电压分析,杂质浓度,阈值,掺杂浓度,表面势,耗尽层,解析模型,氧化层,Si/SiO2...
【工作单位】 电子科技大学
【曾工作单位】 电子科技大学;
【所在地域】 四川成都
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[1]李泽宏,李肇基,方健,杨舰,龙远东.自对准双扩散MOS器件的阈值电压分析[J]微电子学.2003,(06)
[2]方健;李肇基;张波;罗萍;罗晓蓉;郭宇峰;李泽宏;龙远东;罗卢杨;卢治平;郭永芳;肖科;杨舰;乔明;陈林;.PSoC——新一代SoC技术[J]中国集成电路.2003,(07)
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