李泽宏
【姓名】 李泽宏
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;电力工业;自动化技术;
【研究方向】
【发表文献关键词】 阈值电压,DMOS,二维阈值电压模型,double-diffusion MOSFET,多芯片组件,微系统,金属封装,沟道,短沟效应,叠层,RESURF,非均匀沟道,电压模型,数模混合,耗尽层宽度,输线...
【工作单位】 电子科技大学
【曾工作单位】 电子科技大学;
【所在地域】
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[4]王迎春;马捷;侯杰;刘进松;罗蕾;任敏;李泽宏;.超结DMOSFET元胞区与终端区的耐压匹配优化设计[J]半导体技术.2022,(12)
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[8]张金平;邓浩楠;朱镕镕;李泽宏;张波;.High performance carrier stored trench bipolar transistor with dual shielding structure[J]Chinese Physics B.2023,(03)
[9]任敏;叶昶宇;周建宇;张新;郑芳;马荣耀;李泽宏;张波;.Optimal impurity distribution model and experimental verification of variation of lateral doping termination[J]Chinese Physics B.2023,(04)
[10]吴玉舟;李泽宏;禹久赢;潘嘉;陈冲;任敏;.浮空p柱结构的超结IGBT器件的设计[J]半导体技术.2022,(08)
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