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方健
【姓名】
方健
【职称】
教授;
【研究领域】
无线电电子学;电力工业;物理学;
【研究方向】
新型功率器件和功率集成电路以及专用集成电路的研发工作
【发表文献关键词】
RESURF,二维解析模型,A驱,跨阻放大器,LDMOS,高压LDMOS,开关电路,电流模,绝缘体上硅,击穿电压,高压器件,高增益,设计实现,双极,漂移区,宽带,阶梯,功率开关,CMOS,功率系统,浓...
【工作单位】
电子科技大学
【曾工作单位】
电子科技大学;
【所在地域】
成都
学术成果产出统计表
今年新增
/文献篇数
核心期刊论文数
基金论文数
第一作者篇数
总被引频次
总下载频次
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16
564
15570
文献数(该学者统计年度当年发文总文献数)
被引频次(该学者统计年度当年发文总被引频次)
浏览趋势(该学者统计年度当年发文总浏览频次)
下载频次(该学者统计年度当年发文总下载频次)
学术成果产出明细表
中国期刊全文数据库
共找到66篇
[1]魏杰;姜钦峰;罗小蓉;黄俊岳;杨可萌;马臻;方健;杨霏;.
High performance SiC trench-type MOSFET with an integrated MOS-channel diode
[J]Chinese Physics B.2023,(02)
[2]关晓明;方健;赖荣兴;罗云钟;.
一种单粒子效应加固输入接口电路的设计
[J]太赫兹科学与电子信息学报.2021,(02)
[3]马红跃;方健;雷一博;黎明;卜宁;张波;.
一种总剂量辐照加固的双栅LDMOS器件
[J]电子与封装.2021,(08)
[4]黎明;方健;马红跃;卜宁;张波;.
一种尾电流可动态调节的负跨导振荡器的设计
[J]电子与封装.2021,(09)
[5]雷一博;方健;陈智昕;王定良;.
高压栅驱动电路中高速工况研究与设计
[J]太赫兹科学与电子信息学报.2019,(06)
[6]张凯;罗小蓉;何清源;廖天;杨霏;王嘉铭;方健;.
SiC MOSFET三维原胞研究与并联优化
[J]智能电网.2017,(08)
[7]何清源;廖天;张凯;罗小蓉;方健;王嘉铭;杨霏;.
槽型SiC MPS二极管的优化设计
[J]智能电网.2017,(08)
[8]伍伟;张波;方健;罗小蓉;李肇基;.
A high voltage Bi-CMOS compatible buffer super-junction LDMOS with an N-type buried layer
[J]Journal of Semiconductors.2014,(01)
[9]伍伟;张波;罗小蓉;方健;李肇基;.
Low on-resistance high-voltage lateral double-diffused metal oxide semiconductor with a buried improved super-junction layer
[J]Chinese Physics B.2014,(03)
[10]谷洪波;赵前利;李源;方健;张波;.
一种用于APFC的模拟乘法器设计
[J]中国集成电路.2014,(08)
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中国博士学位论文全文数据库
共找到1篇
[1]方健.
电导调制器件局域寿命控制技术
[D].电子科技大学.2005
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中国优秀硕士学位论文全文数据库
共找到2篇
[1]方健.
室温固相法制备铝酸盐研究
[D].电子科技大学.2019
[2]方健.
我国中小企业债券融资模式探讨
[D].电子科技大学.2003
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中国重要会议全文数据库
共找到12篇
[1]欧阳古月;方健;刘勇;唐小宏;.
W波段上变频模块设计
[A].2021年全国微波毫米波会议论文集(上册).2021-05-23
[2]郭永芳;郭宇锋;李肇基;方健;朱刚;.
具有局域空穴槽结构的SOI LDMOS击穿机理
[A].展望新世纪——’02学术年会论文集.2002-04-01
[3]卢治平;李强;方健;罗萍;李泽宏;.
一种新的电流极限可调状态机电路
[A].展望新世纪——’02学术年会论文集.2002-04-01
[4]武洁;方健;李肇基;.
单晶扩散型LDMOS特性分析
[A].展望新世纪——’02学术年会论文集.2002-04-01
[5]郭永芳;郭宇锋;李肇基;方健;朱刚;.
具有局域空穴槽结构的SOI LDMOS击穿机理
[A].中国电工技术学会电力电子学会第八届学术年会论文集.2002-11-01
[6]武洁;方健;李肇基;.
单晶扩散型LDMOS特性分析
[A].中国电工技术学会电力电子学会第八届学术年会论文集.2002-11-01
[7]卢治平;李强;方健;罗萍;李泽宏;.
一种新的电流极限可调状态机电路
[A].中国电工技术学会电力电子学会第八届学术年会论文集.2002-11-01
[8]李明;方健;乔明;.
SOI高压功率集成电路中LDMOS的研制
[A].四川省电子学会半导体与集成技术专委会2006年度学术年会论文集.2006-12-01
[9]郑欣;方健;.
薄外延P埋层双RESURF LDMOS仿真设计
[A].四川省电子学会半导体与集成技术专委会2006年度学术年会论文集.2006-12-01
[10]刘小威;方健;.
一种频率可精确控制的电流控制振荡器
[A].四川省电子学会半导体与集成技术专委会2006年度学术年会论文集.2006-12-01
更多
承担国家科研项目及科技成果产出
承担国家科研项目
共找到1个
[1]方健;.
新结构高压高速LIGBT中势垒控制背注入研究
[A].电子科技大学;.项目经费 12万元.2008-03-20.资助文献数
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