胡思福
【姓名】 胡思福
【职称】 教授;
【研究领域】 无线电电子学;工业通用技术及设备;电力工业;
【研究方向】 半导体器件与微细加工技术的研究
【发表文献关键词】 反应离子刻蚀,失真,刻蚀速率,控制环,半导体桥,均匀性,深阱,等离子体,晶体管,反应器,桥丝,硅氧化物,临界能量,非线性失真,非线性分析,基区,雪崩击穿电压,场板,介质,作用时间,镇流电阻,发射极,基...
【工作单位】 电子科技大学
【曾工作单位】 电子科技大学;
【所在地域】 成都
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[7]张玉才,胡思福.深阱RF功率双极晶体管雪崩击穿特性的模拟分析[J]半导体学报.1999,(08)
[8]周蓉,胡思福,张庆中.提高雪崩击穿电压新技术──深阱终端结构[J]电子科技大学学报.1999,(03)
[9]周蓉,胡思福,张庆中.硅双极功率晶体管镇流技术的改进[J]电子科技大学学报.1999,(05)
[10]周蓉,岳素格,秦卉芊,张玉才,胡思福.半导体桥(SCB)的研究[J]半导体学报.1998,(11)
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