易坤
【姓名】 易坤
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;
【研究方向】 功率半导体器件和模拟IC设计
【发表文献关键词】 LDMOS,击穿电压,深阱,深阱结构,峰值电场,安全工作区,结终端,RESURF,反应离子刻蚀,开态,阱宽,穿模,结终端技术,耐压,深阱结终端,transistor,英文,近理想,漂移区长度,横向扩散...
【工作单位】 电子科技大学
【曾工作单位】 电子科技大学;
【所在地域】 成都
今年新增/文献篇数 核心期刊论文数 基金论文数 第一作者篇数 总被引频次 总下载频次
0/3 3 3 1 27 484
中国期刊全文数据库    共找到3篇
[1]李泽宏;王小松;王一鸣;易坤;张波;李肇基;.智能型高压SENSFET器件的设计分析和实现[J]半导体学报.2007,(12)
[2]易坤,张波,罗小蓉,李肇基.采用深阱结构的耐压技术[J]微电子学.2004,(02)
[3]方健,易坤,李肇基,张波.高压RESURF LDMOS开态击穿模型(英文)[J]半导体学报.2005,(03)
更多