杨漠华
【姓名】 杨漠华
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 热电子效应,界面态,热电子,MOS器件,器件模型,亚微米器件,ICCAD,器件物理,VLSI,VLSI/ULSI,深亚微米,BSIM,电子辐射,输出电阻,衬底电流,漏电流,实验研,亚阈区,退化效应,强...
【工作单位】 电子科技大学
【曾工作单位】 电子科技大学;
【所在地域】
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[1]卢盛辉;杜江锋;罗谦;于奇;周伟;夏建新;杨漠华;.Analytical charge control model for AlGaN/GaN MIS-HFETs including an undepleted barrier layer[J]半导体学报.2010,(09)
[2]陈勇,于奇,杨漠华.MOS器件热电子退化的电子辐射实验研究[J]电子科技大学学报.1997,(06)
[3]陈勇,肖兵,杨漠华.适合VLSI/ULSI的深亚微米MOS器件模型BSIM2的研究[J]微电子学.1997,(03)
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