彭家根
【姓名】 彭家根
【职称】
【研究领域】 电力工业;无线电电子学;材料科学;
【研究方向】 热释电薄膜材料
【发表文献关键词】 射频磁控,无机非金属材料,溅射,PZT铁电薄膜,印迹,矫顽,铁电薄膜,RF磁控溅射,铁电存储器,退火工艺,热释电红外探测器,晶化温度,薄膜形貌,钙钛矿结构,后续热处理,介电常数,后处理工艺,快速退火,...
【工作单位】 电子科技大学
【曾工作单位】 电子科技大学;
【所在地域】 四川成都
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[1]彭家根,钟朝位,张树人,张万里.后处理工艺对PCT薄膜形貌与结构的影响[J]电子元件与材料.2004,(10)
[2]彭家根,钟朝位,张树人,张万里.磁控溅射法制备PZFNT铁电薄膜的实验研究[J]压电与声光.2005,(04)
[3]陈富贵,杨成韬,刘敬松,田召明,彭家根,张树人.PZT铁电薄膜的印迹研究[J]电子元件与材料.2005,(05)
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[1]彭家根.PZT热释电薄膜材料的研究[D].电子科技大学.2005
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