梅丁蕾
【姓名】 梅丁蕾
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;
【研究方向】 SiGeCMOS器件与电路
【发表文献关键词】 80MSPS,双采样,0.34μm硅CMOS,BCCD,电荷容量,线位错,开关电容滤波器,肖特基接触,转移效率,锗硅,锁存比较器,模拟仿真,弛豫,解析模型,pMOSFET,开关电容滤波,解析物理模型,...
【工作单位】 电子科技大学
【曾工作单位】 电子科技大学;
【所在地域】 四川成都
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[1]李竞春;谭静;梅丁蕾;张静;徐婉静;.采用低温Si技术的Si/SiGe异质结p-MOSFET[J]固体电子学研究与进展.2006,(02)
[2]于奇,王颖,熊平,孙杰,梅丁蕾,杨谟华.BCCD器件解析物理模型与仿真研究[J]半导体光电.2004,(01)
[3]于奇,杨谟华,程宇,唐林,宁宁,梅丁蕾,兰家隆.80MSPS双采样0.34μm硅CMOS开关电容滤波器[J]电子学报.2004,(02)
[4]梅丁蕾,杨谟华,李竞春,于奇,张静,徐婉静,谭开洲.应用400℃低温Si技术制备应变Si沟道pMOSFET(英文)[J]半导体学报.2004,(10)
[5]罗谦,杨谟华,杜江锋,梅丁蕾,王良臣,白云霞.基于双肖特基接触GaN薄膜特性参数测试新方法[J]半导体学报.2004,(12)
[6]宁宁,于奇,王向展,任雪刚,李竞春,唐林,梅丁蕾,杨谟华.高速CMOS预放大-锁存比较器设计[J]微电子学.2005,(01)
[7]唐林,杨谟华,于奇,宁宁,梅丁蕾.一种用于10位100 MSPS流水线A/D转换器的CMOS线性采样开关[J]微电子学.2005,(02)
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[1]梅丁蕾.低温Si工艺技术制备SiGe MOSFET的实验研究[D].电子科技大学.2005
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