罗小蓉
【姓名】 罗小蓉
【职称】 教授;
【研究领域】 无线电电子学;物理学;电力工业;
【研究方向】 新型功率半导体器件与集成电路的研究
【发表文献关键词】 RESURF,埋氧层,SOI,固定界面电荷,横向双扩散MOSFET,高低端功率器件,功率驱动集成电路,固定界面,功率器件,智能功率集成电路,功率系统级芯片,脉冲跨周期调制,非均匀沟道DMOS,理想因子...
【工作单位】 电子科技大学
【曾工作单位】 电子科技大学;
【所在地域】 四川成都
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[1]罗小蓉;唐婷婷;刘幸马可;魏杰;王炳赟;李斌;.电子信息领域拔尖创新人才培养模式的构建与实践[J]研究生教育研究.2026,(02)
[2]魏雨夕;马昕宇;江泽俊;魏杰;罗小蓉;.超宽禁带氧化镓功率器件新结构及其电热特性研究进展[J]人工晶体学报.2025,(02)
[3]范杰;张波;罗小蓉;李肇基;.A Low Specific on-Resistance SOI Trench MOSFET with a Non-Depleted Embedded p-Island[J]Chinese Physics Letters.2013,(07)
[4]范远航;罗小蓉;王沛;周坤;张波;李肇基;.A High Figure-of-Merit SOI MOSFET with a Double-Sided Charge Oxide-Trench[J]Chinese Physics Letters.2013,(08)
[5]王卓;李鹏程;张波;范远航;徐青;罗小蓉;.Ultralow Specific on-Resistance Trench MOSFET with a U-Shaped Extended Gate[J]Chinese Physics Letters.2015,(06)
[6]魏杰;姜钦峰;罗小蓉;黄俊岳;杨可萌;马臻;方健;杨霏;.High performance SiC trench-type MOSFET with an integrated MOS-channel diode[J]Chinese Physics B.2023,(02)
[7]邓思宇;廖德尊;魏杰;张成;孙涛;罗小蓉;.High-performance vertical GaN field-effect transistor with an integrated self-adapted channel diode for reverse conduction[J]Chinese Physics B.2023,(07)
[8]谢欣桐;张成;赵智家;魏杰;罗小蓉;张波;.Novel double channel reverse conducting GaN HEMT with an integrated MOS-channel diode[J]Chinese Physics B.2023,(09)
[9]欧阳东法;杨超;孙涛;邓思宇;魏杰;张波;罗小蓉;.一种具有鳍状阳极的垂直GaN功率二极管[J]微电子学.2020,(05)
[10]彭富;欧阳东法;杨超;魏杰;邓思宇;张波;罗小蓉;.一种对称极化掺杂增强型高压GaN HFET[J]微电子学.2018,(06)
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[1]杨寿国;罗小蓉;李肇基;张波;.阶梯厚度漂移区SOI新结构耐压分析[A].四川省电子学会半导体与集成技术专委会2006年度学术年会论文集.2006-12-01
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承担国家科研项目    共找到2个
[1]罗小蓉;.SOI高压器件荷致高场理论与新结构[A].电子科技大学;.项目经费 21万元.2008-03-20.资助文献数 0 篇
[2]罗小蓉.新型低k介质埋层SOI功率器件耐压理论与新结构[A].电子科技大学.项目经费 42万元.2009-03-20.资助文献数 0 篇
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