梁柱
【姓名】 梁柱
【职称】
【研究领域】 工业通用技术及设备;材料科学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 缓冲层,Si 基片,BST 薄膜,异质外延,界面态密度,氧化物薄膜,外延生长,单胞,应力调控,生长模式,界面应力,多元氧化物,薄膜生长,薄膜材料,诱导效应,研究进展,铁电薄膜,生长过程,失配度,临界厚...
【工作单位】 电子科技大学
【曾工作单位】 电子科技大学;
【所在地域】 四川成都
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[1]李言荣;朱俊;张鹰;李金隆;魏贤华;梁柱;张万里;吴传贵;刘兴钊;陶伯万;.多元氧化物电子薄膜材料的单胞生长模式与界面应力诱导效应的研究[J]电子科技大学学报.2006,(S1)
[2]魏贤华;张鹰;梁柱;黄文;李言荣;.用于Si基片上外延BST薄膜的缓冲层的研究进展[J]材料导报.2005,(05)
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[1]梁柱.氧化物异质外延过程中应变研究[D].电子科技大学.2006
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