李竞春
【姓名】 李竞春
【职称】 副教授;
【研究领域】 无线电电子学;电力工业;物理学;
【研究方向】 SiGe器件与SiGe电路技术研究
【发表文献关键词】 锁存比较器,应变硅,栅介质,高速CMOS,pMOSFET,沟道,锗硅,SiGeHBT,比较器,低温制备,SiGe,SOI,场效应晶体管,异质结晶体管,频率特性,最高振荡频率,p型,基区渡越时间,速度饱...
【工作单位】 电子科技大学
【曾工作单位】 电子科技大学;
【所在地域】 成都
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[1]周谦;杨谟华;王向展;李竞春;罗谦;.基于离子注入与快速热退火的GeSn合金生长技术[J]微电子学.2013,(01)
[2]周谦;杨谟华;王向展;李竞春;罗谦;.一种基于准分子激光退火的GeSn合金生长新技术[J]微电子学.2013,(02)
[3]刘浩;陈志;葛佳乐;于奇;宁宁;王向展;邓春健;李竞春;.一种宽电压输入范围降压稳压电路的设计[J]微电子学.2011,(01)
[4]王一鹏;张万东;曾龄宇;邓春健;宁宁;于奇;王向展;李竞春;.一种用于AMOLED显示驱动芯片的电荷泵设计[J]微电子学.2011,(01)
[5]李竞春;杨洪东;杨阳;全冯溪;.局部双轴应变SiGe材料的生长与表征[J]浙江大学学报(工学版).2011,(06)
[6]李竞春;罗谦;于奇;王向展;.纳米MOS器件栅氧化层电子直接隧穿——量子力学教学中的“生长点”[J]教育教学论坛.2011,(26)
[7]杨洪东;李竞春;于奇;周谦;谭开州;张静;.一种采用BiCMOS工艺的SiGe HBT基区生长方法[J]固体电子学研究与进展.2009,(04)
[8]肖培磊;胡小琴;李竞春;.一种应用于10位逐次逼近ADC的比较器设计[J]电子与封装.2010,(05)
[9]杨洪东;于奇;王向展;李竞春;宁宁;杨谟华;.Growth of strained-Si material using low-temperature Si combined with ion implantation technology[J]半导体学报.2010,(06)
[10]杨洪东;于奇;王向展;李竞春;罗谦;姬洪;.HRXRD研究SiN盖帽层在Si中引入的应变[J]材料导报.2010,(08)
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