郭宇锋
【姓名】 郭宇锋
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;
【研究方向】 SOI功率器件设计与建模.~~
【发表文献关键词】 RESURF,线性掺杂,穿模,二维解析模型,RESURF器件,击穿电压,阶梯,漂移区,双极,英文,RESURF结构,统一判据,IC设计,Poisson方程,表面电势,击穿特性,MEDICI,电子科技大...
【工作单位】 电子科技大学
【曾工作单位】 电子科技大学;
【所在地域】 成都
今年新增/文献篇数 核心期刊论文数 基金论文数 第一作者篇数 总被引频次 总下载频次
0/6 3 4 3 81 1719
中国期刊全文数据库    共找到3篇
[1]罗小蓉,李肇基,张波,郭宇锋,唐新伟.屏蔽槽SOI高压器件新结构和耐压机理[J]半导体学报.2005,(11)
[2]郭宇锋,张波,毛平,李肇基,刘全旺.均匀、阶梯和线性掺杂漂移区SOI RESURF器件的统一击穿模型(英文)[J]半导体学报.2005,(02)
[3]郭宇锋,方健,张波,李泽宏,李肇基.SOI基双级RESURF二维解析模型[J]半导体学报.2005,(04)
更多
中国博士学位论文全文数据库    共找到1篇
[1]郭宇锋.SOI横向高压器件耐压模型和新器件结构研究[D].电子科技大学.2005
更多
中国重要会议全文数据库    共找到2篇
[1]郭永芳;郭宇锋;李肇基;方健;朱刚;.具有局域空穴槽结构的SOI LDMOS击穿机理[A].展望新世纪——’02学术年会论文集.2002-04-01
[2]郭永芳;郭宇锋;李肇基;方健;朱刚;.具有局域空穴槽结构的SOI LDMOS击穿机理[A].中国电工技术学会电力电子学会第八届学术年会论文集.2002-11-01
更多