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单伟国
【姓名】
单伟国
【职称】
【研究领域】
无线电电子学;电信技术;
【研究方向】
【发表文献关键词】
共面波导,传输线,绝缘体上硅,地屏蔽,插入损耗,导体损耗,屏蔽技术,表面电阻率,低阻硅衬底,材料制备,高阻硅,线宽度,衬底材料,测试结果,损耗特性,损耗比,制作,不同材料,降低,采用,
【工作单位】
电子科技大学
【曾工作单位】
电子科技大学;
【所在地域】
上海成都
学术成果产出统计表
今年新增
/文献篇数
核心期刊论文数
基金论文数
第一作者篇数
总被引频次
总下载频次
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文献数(该学者统计年度当年发文总文献数)
被引频次(该学者统计年度当年发文总被引频次)
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下载频次(该学者统计年度当年发文总下载频次)
学术成果产出明细表
中国期刊全文数据库
共找到1篇
[1]单伟国;骆苏华;杨中海;李凌云;孙晓玮;.
不同材料上共面波导线的损耗研究
[J]固体电子学研究与进展.2006,(03)
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中国优秀硕士学位论文全文数据库
共找到1篇
[1]单伟国.
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[D].电子科技大学.2005
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杨中海
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