安娜
【姓名】 安娜
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;计算机软件及计算机应用;
【研究方向】 器件与工艺的研究
【发表文献关键词】 富磷,扫描光荧光谱,束缚能,增速扩散,Rp缺陷,硼峰,缺陷模型,磷化铟,位错密度,退火过程,聚集析出,离子注入,InP单晶,数值模拟,熔体,间隙原子,退火时间,离子注,光荧光,科技集团,单晶,时间常数...
【工作单位】 电子科技大学
【曾工作单位】 电子科技大学;
【所在地域】 四川成都
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[1]安娜,夏建新.离子注入中硼在R_p缺陷的析出模型(英文)[J]半导体技术.2004,(04)
[2]周晓龙,安娜,孙聂枫,徐永强,杨光耀,谢德良,刘二海,李光平,周智慧,董彦辉,孙同年.富磷熔体中生长的φ100 mm掺硫InP单晶研究[J]固体电子学研究与进展.2004,(01)
[3]励晔,夏建新,安娜.退火过程中R_P缺陷模型及数值模拟[J]半导体学报.2005,(06)
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