于奇
【姓名】 于奇
【职称】 教授;
【研究领域】 无线电电子学;计算机硬件技术;电信技术;
【研究方向】 VDSM器件和数模混合信号电路的科研与教学工作
【发表文献关键词】 欧姆接触,锁存比较器,比接触电阻,氮化,自举开关,高速CMOS,CMOS,电荷注入效应,全差分,流水线A/D转换器,A/D转换器,电子技术,线性采样,GaN,MSM结构,紫外探测器,光电流,表面态,陷...
【工作单位】 电子科技大学
【曾工作单位】 电子科技大学;
【所在地域】 四川成都
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[3]刘益安;马瑞辰;李国;于奇;刘洋;胡绍刚;.负阻态忆阻Hopfield神经网络动力学[J]电子科技大学学报.2023,(01)
[4]田魁元;刘勇;杜江锋;于奇;.Design optimization of high breakdown voltage vertical GaN junction barrier Schottky diode with high-K/low-K compound dielectric structure[J]Chinese Physics B.2023,(01)
[5]韩文涛;明平文;肖航;张中;李靖;于奇;.一种可校正的12位C2C电容阵列混合结构SAR ADC[J]微电子学.2023,(03)
[6]武长春;周莆钧;王俊杰;李国;胡绍刚;于奇;刘洋;.基于忆阻器的脉冲神经网络硬件加速器架构设计[J]物理学报.2022,(14)
[7]刘勇;于奇;杜江锋;.A novel high breakdown voltage and high switching speed GaN HEMT with p-GaN gate and hybrid AlGaN buffer layer for power electronics applications[J]Chinese Physics B.2020,(12)
[8]赵智源;杜江锋;刘勇;于奇;.高击穿电压复合介质结构垂直GaN基PN二极管优化设计[J]电子元件与材料.2021,(03)
[9]张宁;徐开凯;陈彦旭;朱坤峰;赵建明;于奇;.金属-氧化物-半导体硅发光器件在集成电路中的应用前景[J]物理学报.2019,(16)
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[1]于奇.CCD高清图像处理模拟前端关键技术研究[D].电子科技大学.2010
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[1]杜江锋;罗大为;罗谦;卢盛辉;于奇;杨谟华;.优化场板GaN HEMT沟道电子温度分布抑制电流崩塌[A].第十五届全国化合物半导体材料，微波器件和光电器件学术会议论文集.2008-11-30
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