杨国宁
【姓名】 杨国宁
【职称】
【研究领域】 电力工业;物理学;工业通用技术及设备;
【研究方向】 磁性材料与器件
【发表文献关键词】 应力阻抗,FeCo,磁弹性,CoSi,溅射气压,Cu/Fe,Eu2+,长余辉,蓄光,弹性薄膜,蓄光型发光材料,偏置磁场,发光材料,Dy3+,多层膜,代稀土,稀土,阻抗变化,阻抗,偏置场,膜应力,非晶,...
【工作单位】 电子科技大学
【曾工作单位】 电子科技大学;
【所在地域】 四川成都
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中国期刊全文数据库    共找到7篇
[1]谌贵辉;张万里;彭斌;蒋洪川;杨国宁;.FeCoSiB薄膜应力阻抗性能的的影响因素及提高方法[J]真空.2006,(03)
[2]杨国宁,张万里,彭斌,蒋洪川,张文旭,易朋.非晶FeCoSiB磁弹性薄膜的应力阻抗效应[J]传感器世界.2004,(11)
[3]杨国宁,张万里,彭斌,蒋洪川,张永强.FeCoSiB单层和FeCoSiB/Cu/FeCoSiB多层磁弹性膜应力阻抗性能研究[J]磁性材料及器件.2004,(06)
[4]张永强,杨仕清,张万里,蒋洪川,杨国宁.第三代稀土蓄光型发光材料的研究进展[J]稀土.2005,(01)
[5]谌贵辉,张万里,彭斌,蒋洪川,杨国宁.溅射气压和偏置磁场对FeSiCoB薄膜应力阻抗性能的影响[J]真空电子技术.2005,(01)
[6]谌贵辉,杨国宁,张万里,彭斌,蒋洪川.退火条件对FeSiCoB薄膜应力阻抗效应的影响[J]电子元件与材料.2005,(05)
[7]张万里,蒋洪川,杨国宁,彭斌,张文旭,张永强.热处理温度对FeCoSiB薄膜及FeCoSiB/Cu/FeCoSiB三明治膜应力阻抗效应的影响[J]功能材料.2005,(04)
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[1]杨国宁.FeCoSiB非晶磁弹性薄膜材料及应用研究[D].电子科技大学.2005
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[1]杨国宁;张万里;彭斌;蒋洪川;张文旭;易朋;.非晶FeCoSiB磁弹性薄膜的应力阻抗效应[A].中国仪器仪表学会传感器学术研讨会论文集.2004-06-30
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