段宝兴
【姓名】 段宝兴
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;电力工业;
【研究方向】 SOI功率器件、横向高压器件设计和半导体器件物理
【发表文献关键词】 比导通电阻,击穿电压,SOIRESURF结构,阶梯埋氧型SOI,电场调制,SOI结构,表面电场分布,RESURF结构,漂移区长度,APSOI,自热效应,耐压,super junction,LDMOST...
【工作单位】 电子科技大学
【曾工作单位】 电子科技大学;
【所在地域】 成都
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中国期刊全文数据库    共找到8篇
[1]张波;段宝兴;李肇基;.具有n~+浮空层的体电场降低LDMOS结构耐压分析[J]半导体学报.2006,(04)
[2]段宝兴;张波;李肇基;.双面阶梯埋氧型SOI结构的耐压分析[J]半导体学报.2006,(05)
[3]段宝兴;张波;李肇基;.一种新型的低导通电阻折叠硅SOI LDMOS[J]半导体学报.2006,(10)
[4]段宝兴;张波;李肇基;.高阻衬底上具有n~+浮空层的横向Super Junction MOSFETs(英文)[J]半导体学报.2007,(02)
[5]段宝兴;张波;李肇基;.高压SOI LDMOS设计新技术——电场调制及电荷对局域场的屏蔽效应在高压SOI LDMOS设计中的应用[J]微电子学.2007,(04)
[6]段宝兴,张波,李肇基.阶梯埋氧型SOI结构的耐压分析[J]半导体学报.2005,(07)
[7]段宝兴,张波,李肇基,罗小蓉.埋空隙PSOI结构的耐压分析[J]半导体学报.2005,(09)
[8]段宝兴,张波,李肇基.具有p型埋层PSOI结构的耐压分析[J]半导体学报.2005,(11)
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中国博士学位论文全文数据库    共找到1篇
[1]段宝兴.横向高压器件电场调制效应及新器件研究[D].电子科技大学.2007
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中国重要会议全文数据库    共找到2篇
[1]黄勇光;段宝兴;罗萍;.超薄硅层REBULF LDMOS的工艺仿真和设计[A].四川省电子学会半导体与集成技术专委会2006年度学术年会论文集.2006-12-01
[2]段宝兴;张波;李肇基;.功率半导体器件发展概述[A].2006中国电工技术学会电力电子学会第十届学术年会论文摘要集.2006-09-01
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