陈星弼
【姓名】 陈星弼
【职称】 教授;
【研究领域】 无线电电子学;电力工业;物理学;
【研究方向】 功率器件与智能功率集成电路
【发表文献关键词】 电阻场板,SOI,横向双扩散MOS管,积分电路/变频控制,埋氧层,功率因数/半桥输出,BuckBoost电路,比导通电阻,降压输出,变换器,电离率,电流滞环控制,Boost,反恢时间,击穿电压,薄膜S...
【工作单位】 电子科技大学
【曾工作单位】 电子科技大学;
【所在地域】 四川成都
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[1]武嘉瑜;易波;陈星弼;.一种基于肖特基二极管的逆导型SOI-LIGBT[J]微电子学.2020,(03)
[2]林靖杰;陈为真;程骏骥;陈星弼;.一种利用高介电常数薄膜改进的快速关断SOI-LIGBT[J]微电子学.2020,(04)
[3]孙旭;陈星弼;.一种背面深槽填充P型多晶硅RC-IGBT[J]微电子学.2018,(06)
[4]李欢;陈星弼;.一种带埋层的超低比导通电阻槽型LDMOS[J]微电子学.2019,(01)
[5]孙旭;陈星弼;.利用P型场环调节表面电场的积累层LDMOS[J]微电子学.2019,(01)
[6]李欢;程骏骥;陈星弼;.一种基于扩展栅的改进的双通道OPTVLD p-LDMOS[J]微电子学.2019,(01)
[7]邓菁;陈星弼;.一种具有载流子存储层的500V高速SOI-LIGBT[J]微电子学.2018,(05)
[8]杜文芳;吕信江;陈星弼;.An LDMOS with large SOA and low specific on-resistance[J]Journal of Semiconductors.2016,(05)
[9]黄铭敏;陈星弼;.A superjunction structure using high-k insulator for power devices:theory and optimization[J]Journal of Semiconductors.2016,(06)
[10]朱利恒;陈星弼;.Theoretical calculation of the p-emitter length for snapback-free reverse-conducting IGBT[J]Journal of Semiconductors.2014,(06)
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承担国家科研项目    共找到2个
[1]陈星弼;.新颖“与CMOS/BiCMOS工艺全兼容的集成肖特基二极管”[A].电子科技大学;.项目经费 35万元.2007-03-31.资助文献数 2 篇
[2]陈星弼;.智能功率集成电路中低压电源及小电流检测[A].电子科技大学;.项目经费 22万元.2004-03-31.资助文献数 8 篇
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