陈万军
【姓名】 陈万军
【职称】 教授;
【研究领域】 无线电电子学;电力工业;计算机软件及计算机应用;
【研究方向】 新型功率半导体器件与集成技术研究
【发表文献关键词】 恢复电荷,密勒电容,VDMOSFET,超级结,击穿电压,LDMOS,衬底辅助耗尽效应,表面电场分布,可靠性,开关晶体管,新结构,导通电阻,VDMOS,器件结构,金属化,扩展技术,生成物,结终端扩展,场...
【工作单位】 电子科技大学
【曾工作单位】 电子科技大学;
【所在地域】 成都
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[1]刘晴宇;杨禹霄;陈万军;.一种具有载流子动态调制的双栅IGBT[J]电子与封装.2025,(11)
[2]孙瑞泽;陈万军;刘超;刘红华;姚洪梅;张波;.压控型脉冲功率半导体器件技术及应用[J]强激光与粒子束.2024,(09)
[3]陈万军;.“宽禁带功率半导体器件”专题前言[J]电子与封装.2023,(01)
[4]陈楠;陈万军;尚建蓉;刘超;李青岭;孙瑞泽;李肇基;张波;.基于新型绝缘栅触发晶闸管的高功率准矩形脉冲源[J]电子与封装.2021,(12)
[5]吴毅;夏云;刘超;陈万军;.一种新型无电压折回现象的超结逆导型IGBT[J]电子与封装.2022,(09)
[6]谯彬;陈万军;高吴昊;夏云;张柯楠;孙瑞泽;.新型阶梯变掺杂SiC漂移阶跃恢复二极管[J]微电子学.2021,(01)
[7]赖静雪;陈万军;孙瑞泽;刘超;张波;.GaN单片功率集成电路研究进展[J]电子与封装.2021,(02)
[8]袁榕蔚;刘超;陈万军;.基于导通延迟补偿的并联MOS栅控晶闸管均流方法研究[J]电子与封装.2021,(07)
[9]肖紫嫣;刘超;夏云;陈万军;.具有三明治集电极结构的新型无电压回跳半超结RC-IGBT[J]电子与封装.2020,(06)
[10]张兴强;陈楠;陈万军;.一种基于CS-MCT串联的脉冲放电电路设计与实现[J]电子与封装.2020,(07)
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[1]陈万军.基于电荷平衡的横向功率器件研究[D].电子科技大学.2007
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[1]汪志刚;张竞;陈万军;.一种NMOS控制AlGaN/GaN HFET高压功率混合集成器件[A].2010’全国半导体器件技术研讨会论文集.2010-07-16
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[1]陈万军.高性能AlGaN/GaN复合阳极场控功率整流器新结构及模型[A].电子科技大学.项目经费 24万元.2009-03-20.资助文献数 0 篇
[2]陈万军.增强型AlGaN/GaN HEMT高压功率器件研究[A].电子科技大学.项目经费 3.6万元.2009-03-31.资助文献数 0 篇
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