霍风伟
【姓名】 霍风伟
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 背面减薄,磨削,硅片,IC封装,磨削技术,自旋转,损伤层,大尺寸,芯片厚度,磨床,表面损伤,磨削深度,残余应力,粗磨,砂轮轴,金刚石砂轮,除硅,精磨,延性域磨削,抛光,
【工作单位】 大连理工大学
【曾工作单位】 大连理工大学;
【所在地域】 辽宁大连
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[1]康仁科,郭东明,霍风伟,金洙吉.大尺寸硅片背面磨削技术的应用与发展[J]半导体技术.2003,(09)
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