马平西
【姓名】 马平西
【职称】
【研究领域】 物理学;无线电电子学;自动化技术;
【研究方向】
【发表文献关键词】 多晶硅,基区,单晶,误差理论/线性“与或”门,铝,薄膜,整流接触/接触电阻率,寿命,结二极管,载流子,欧姆接触,掺杂浓度,发射极晶体管,多晶硅薄膜,线性“与或”门,硅膜,多元逻辑电路,多晶,单晶硅,均...
【工作单位】 大连理工大学
【曾工作单位】 大连理工大学;
【所在地域】 大连
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[1]魏希文,王美田,马平西,师延进,陈国栋.单晶-多晶硅P~+N结二极管基区载流子的寿命[J]大连理工大学学报.1988,(04)
[2]马平西,魏希文,王美田,师延进,陈国栋.多晶硅薄膜和金属铝接触的研究[J]大连理工大学学报.1989,(02)
[3]魏希文,李建军,马平西,邹赫麟,王阳元,张利春,吉利久.不连续类氧化层界面多晶硅发射极晶体管理论模型[J]半导体学报.1992,(09)
[4]马平西,魏希文,邹赫麟.多元逻辑电路(DYL)线性“与或”门均匀性的研究[J]大连理工大学学报.1992,(04)
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