安俊明
【姓名】 安俊明
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;
【研究方向】 半导体器件的计算机模拟
【发表文献关键词】 共射极,基区,电流增益,复合电流,IEEE,晶体,发射结,基极电流,双极晶体管,北京工业大学,二维数值模拟,大连理工大学,模型方程,工程系,异质结,分布形式,电流放大系数β,物理系,大连,外延方法,
【工作单位】 大连理工大学
【曾工作单位】 大连理工大学;
【所在地域】 大连
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[1]安俊明,李建军,魏希文,沈光地,陈建新,邹德恕.基区复合对nSi/pSi_(1-x)Ge_x/nSi晶体管共射极电流增益的影响[J]半导体学报.1999,(03)
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