矢野满明
【姓名】 矢野满明
【职称】
【研究领域】 物理学;无线电电子学;化学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 量子点,垂直堆垛的InAs量子点,分子束外延(MBE),场效应管(FET),非挥发存储器,深能级瞬态谱,堆垛,HFET,InAs,MBE生长,深能级,存储器件,量子限制,势垒,外延层,瞬态谱,热激发,...
【工作单位】 大阪工业大学
【曾工作单位】 大阪工业大学;
【所在地域】 日本
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中国期刊全文数据库    共找到3篇
[1]李树玮,小池一步,矢野满明.垂直堆垛InAs量子点材料的分子束外延生长[J]稀有金属.2004,(01)
[2]李树玮,小池一步,矢野满明.在a-平面蓝宝石衬底上分子束外延生长的ZnO和ZnMgO材料结构和光学性质(英文)[J]光散射学报.2004,(01)
[3]李树玮,缪国庆,蒋红,元光,宋航,金亿鑫,小池一步,矢野满明.MBE生长的垂直堆垛InAs量子点及HFET存储器件的应用[J]发光学报.2002,(06)
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中国重要会议全文数据库    共找到2篇
[1]李树玮;小池一步;矢野满明;.ZnO和ZnMgO材料的分子束外延生长及其光学性质[A].中国硅酸盐学会2003年学术年会论文摘要集.2003-06-30
[2]李树玮;小池一步;矢野满明;.垂直堆垛InAs量子点材料的分子束外延生长[A].第九届材料科学与合金加工学术会议专刊论文集.2004-06-30
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