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杨定宇
【姓名】
杨定宇
【职称】
副教授;
【研究领域】
物理学;工业通用技术及设备;无线电电子学;
【研究方向】
薄膜材料与器件方面的研究Tel
【发表文献关键词】
静电感应晶闸管,负阻转折特性,数值模拟,发光材料,有机发光二极管,荧光与磷光,有机电致发光器件,半导体器件,发光性能,分子能级,研究进展,负阻特性,显示面板,发光效率,器件模拟,有机发光显示器件,驱动...
【工作单位】
成都信息工程学院
【曾工作单位】
成都信息工程学院;
【所在地域】
四川成都
学术成果产出统计表
今年新增
/文献篇数
核心期刊论文数
基金论文数
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总被引频次
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22
176
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文献数(该学者统计年度当年发文总文献数)
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下载频次(该学者统计年度当年发文总下载频次)
学术成果产出明细表
中国期刊全文数据库
共找到35篇
[1]郝东;朱世富;赵北君;朱兴华;何知宇;杨定宇;孙辉;.
应变对单层碘化铅的能带及光电导率影响的第一性原理研究
[J]人工晶体学报.2015,(07)
[2]杨定宇;朱兴华;孙辉;郝东;李旭;高秀英;.
PbI_2厚膜的结构、形貌与光谱性质研究
[J]光谱学与光谱分析.2014,(11)
[3]杨维清;朱兴华;魏昭荣;杨定宇;高秀英;.
高压下GaAs的电子结构的从头计算
[J]四川大学学报(自然科学版).2009,(05)
[4]朱兴华;杨定宇;孙辉;魏昭荣;李乐中;杨维清;祖小涛;.
近空间升华法制备PbI_2厚膜及其性质研究
[J]功能材料.2011,(09)
[5]彭龙;李元勋;李乐中;杨定宇;朱兴华;.
溅射SmCo基永磁薄膜的结构和磁性能研究
[J]真空科学与技术学报.2011,(06)
[6]朱兴华;杨定宇;孙辉;李乐中;彭龙;祖小涛;.
磁控溅射法制备CdS多晶薄膜工艺研究
[J]真空科学与技术学报.2011,(06)
[7]魏昭荣;杨定宇;朱兴华;杨维清;.
电子束蒸发法制备MoO_3薄膜及其性质研究
[J]电子科技大学学报.2011,(06)
[8]杨定宇;夏庚培;郑家贵;冯良桓;蔡亚平;.
近空间升华法制备CdS多晶薄膜的研究
[J]光谱学与光谱分析.2009,(01)
[9]魏昭荣;朱兴华;杨维清;杨定宇;刘汝林;刘俊;.
利用多晶硅副产物制备氯化钡的研究
[J]无机盐工业.2009,(08)
[10]杨定宇;郑家贵;朱兴华;魏昭荣;杨军;高秀英;.
电子束蒸发制备CdS多晶薄膜及性质研究
[J]真空科学与技术学报.2009,(04)
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中国重要会议全文数据库
共找到1篇
[1]杨定宇;朱兴华;魏昭荣;高秀英;杨维清;杨军;.
CdS多晶薄膜的制备与光学性质研究
[A].第15届全国晶体生长与材料学术会议论文集.2009-11-06
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李成
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