刘日喜
【姓名】 刘日喜
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 电子束退火,砷硅,半导体工艺设备,背散射,单晶,剖面分布,微分电导,方块电阻,注入层,热退火,载流子浓度,杂质分布,退火条件,电于束,电激活,扫描电流,再分布,北京师范大学,核物理,离子注入,
【工作单位】 长沙半导体工艺设备研究所
【曾工作单位】 长沙半导体工艺设备研究所;
【所在地域】
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[1]卢殿通,张通和,王大椿,王兴民,苏颖,王琦,陶仁敦,周楚材,刘日喜.注砷硅单晶的电子束退火[J]微细加工技术.1983,(02)
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