冯育坤
【姓名】 冯育坤
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;物理学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 速度过冲,短沟道,GaAs,栅长,MESFET,电场,电子漂移速度,渡越,电子温度,谷际散射,场特性,谷电,麦克斯韦分布,电子迁移率,子迁移率,样品长度,沟道器件,沟道,动量,玻尔兹曼输运方程,漂移速...
【工作单位】 成都电讯工程学院
【曾工作单位】 成都电讯工程学院;
【所在地域】
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[1]冯育坤.GaAs中速度过冲特性的分析[J]半导体学报.1982,(05)
[2]冯育坤.短沟道GaAs MESFET中的速度过冲效应[J]半导体学报.1983,(04)
[3]冯育坤;.速度过冲对短沟道GaAs MESFET器件参数的影响[J]电子学报.1984,(03)
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