张庆中
【姓名】 张庆中
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 阈值电压,MOS管,理论修正,二维分析模型,短沟道,MOSFET,沟道,两区模型,漏电流,二维效应,沟道离子注入,漏区,漏结,临界饱和,耗尽层,沟道长度,强反型,分界点,亚阈区,击穿电压,离子注入,表...
【工作单位】 成都电讯工程学院
【曾工作单位】 成都电讯工程学院;
【所在地域】
今年新增/文献篇数 核心期刊论文数 基金论文数 第一作者篇数 总被引频次 总下载频次
0/3 0 0 3 0 163
中国期刊全文数据库    共找到3篇
[1]张庆中.对《MOS管阈值电压的理论修正》一文的商榷[J]半导体技术.1984,(01)
[2]张庆中.短沟道MOSFET准二维分析模型[J]电子学报.1986,(05)
[3]张庆中.短沟道MOSFET准二维分析模型[J]成都电讯工程学院学报.1988,(S2)
更多