陈星弼
【姓名】 陈星弼
【职称】
【研究领域】 物理学;无线电电子学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 场板,集电极,场限环,非平衡,基极区,饱和区,电场分布,p-n结,发射极,少数载流子,有源区,储存时间,高压半导体器件,电场,表面电场分布,三极管,极区,简单表示式,漂移管,LDMOS,工作时,表面复...
【工作单位】 成都电讯工程学院
【曾工作单位】 成都电讯工程学院;
【所在地域】 成都
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[1]陈星弼.关于半导体漂移三极管在饱和区工作时的储存时间问题[J]物理学报.1959,(07)
[2]陈星弼.p-n+结有场板时表面电场分布的简单表示式[J]电子学报.1986,(01)
[3]李志奇,陈星弼.LDMOS功率场效应晶体管的设计与研制[J]微电子学.1988,(03)
[4]陈星弼.场限环的简单理论[J]电子学报.1988,(03)
[5]陈星弼.表面电荷对具有场限环的p~+-n结电场及电位分布的影响[J]电子学报.1988,(05)
[6]陈星弼,李肇基,蒋旭.高压半导体器件电场的二维数值分析[J]半导体学报.1988,(03)
[7]陈星弼,李肇基,李忠民.关于圆柱边界突变结的击穿电压[J]半导体学报.1989,(06)
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