谢浩锐
【姓名】 谢浩锐
【职称】
【研究领域】 物理学;无线电电子学;
【研究方向】 光电子技术的研究
【发表文献关键词】 面发射激光器,垂直腔,氧化物限制,氧化速率,氧化工艺,布拉格,反射镜,VCSEL,氧化条件,氧化温度,氧化深度,外延片,阈值电流,气流量,氧化时间,最大输出功率,气体流量,讨论研究,氮氧化,半导体激光,
【工作单位】 长春理工大学
【曾工作单位】 长春理工大学;
【所在地域】 长春
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中国期刊全文数据库    共找到4篇
[1]侯立峰;钟景昌;赵英杰;郝永芹;冯源;谢浩锐;姜晓光;.840nm VCSEL阵列湿法氧化研究[J]半导体技术.2008,(06)
[2]郝永芹;钟景昌;谢浩锐;姜晓光;赵英杰;王立军;.一种提高垂直腔面发射激光器性能的新工艺(英文)[J]半导体学报.2005,(12)
[3]谢浩锐;钟景昌;赵英杰;郝永芹;姜晓光;冯源;张和保;魏东;.选择氧化工艺在垂直腔面发射激光器中的应用[J]长春理工大学学报.2005,(04)
[4]谢浩锐,钟景昌,赵英杰,王晓华,郝永芹,刘春玲,姜晓光.垂直腔面发射激光器的氧化工艺研究[J]半导体光电.2005,(02)
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中国优秀硕士学位论文全文数据库    共找到1篇
[1]谢浩锐.垂直腔面发射激光器阵列的研究[D].长春理工大学.2004
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