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[2]朱宝仁,张兴德,薄报学,张宝顺,杨忠和.高功率808 nmInGaAsP-GaAs分别限制结构的半导体激光器[J]光学学报.1997,(12)
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[3]薄报学,朱宝仁,张宝顺,高欣,任大翠,张兴德.InGaAsP/GaAs单量子阱SCH半导体激光器的液相外延[J]中国激光.1998,(01)
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[4]刘国军,张千勇,杨晗,夏伟,张兴德,薄报学,朱宝仁,寻立春,李学谦,张宝顺,王玲,王玉霞.外延技术在半导体激光器中的应用[J]长春光学精密机械学院学报.1998,(01)
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[5]田景全;朱宝仁;富丽晨;姜德龙;吴奎;.用紫外光电法测量微通道板增益的研究[J]光电子学技术.1986,(02)
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[6]田景全;富丽晨;朱宝仁;郭洪昌;.一种可拆卸的双近贴紫外成象系统[J]应用光学.1986,(04)
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[7]朱宝仁,黎荣晖,钟景昌.1.3微米铟镓砷磷大光腔半导体激光器[J]长春光学精密机械学院学报.1989,(04)
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[8]钟景昌,朱宝仁,黎荣晖.InGaAsP-InP大光腔结构激光器[J]光学学报.1990,(03)
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[9]钟景昌,朱宝仁,黎荣晖,赵英杰.1.55μm大光腔激光器[J]光学学报.1992,(03)
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[10]钟景昌,黎荣晖,朱宝仁,赵英杰.列阵半导体激光器的噪声[J]光学学报.1993,(05)
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