Mark
【姓名】 Mark
【职称】
【研究领域】 基础医学;无线电电子学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 非晶硅,暗电阻,离子束溅射,加速电压,离子束溅射淀积,离子束溅射法,a-Si,电特性,淀积工艺,氢化非晶硅,电阻率,真空室,非晶硅薄膜,条件,离子束,阳极栅,州立大学,溅射,硅原子,靶面,
【工作单位】 宾夕法尼亚州立大学
【曾工作单位】 宾夕法尼亚州立大学;
【所在地域】 美国
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[1]叶健,郑秀芬,季安全,Esteban J Parra,Donna M Sosnoski,Mark D Shriver.用熔解曲线法分析插入/缺失多态性和Y染色体SNPs多态性[J]中国法医学杂志.2001,(04)
[2]王敬义,Mark Horn.束参数对离子束溅射法所淀积非晶硅电特性的影响[J]华中理工大学学报.1988,(S2)
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