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J.J.WORTMAN
【姓名】
J.J.WORTMAN
【职称】
【研究领域】
无线电电子学;
【研究方向】
【发表文献关键词】
偏压温度,MOS结构,快速热氧化,氧化硅,热生长,平带电压,不稳定性,硅结,偏应力,金属化,负偏压,辐照,可动离子,快速退火,氢气退火,快冷,退火温度,慢冷,经受过,电场,
【工作单位】
北卡罗莱纳州立大学
【曾工作单位】
北卡罗莱纳州立大学;
【所在地域】
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共找到1篇
[1]陆德仁,J.J.WORTMAN.
快速热生长二氧化硅-硅结构负偏压温度不稳定性
[J]半导体学报.1990,(06)
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