屠海令
【姓名】 屠海令
【职称】 教授;
【研究领域】 无线电电子学;物理学;化学;
【研究方向】 半导体硅及硅基材料研究
【发表文献关键词】 断裂模数,损伤层,锑化镓,光学加工,切片,GaAs,硅,氢,晶体断裂,TEM,退火,晶片,三轴晶模式衍射,磨片,小角晶界,注氢,面向,抛光,离子注入,微缺陷,模数,损伤带,桔皮皱纹,氢致缺陷,GaAs...
【工作单位】 北京有色金属研究总院半导体材料国家工程研究中心
【曾工作单位】 北京有色金属研究总院半导体材料国家工程研究中心;
【所在地域】 北京
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[7]屠海令;.半导体硅及硅基材料研究中的几个问题[J]上海金属.2008,(05)
[8]黎建明,屠海令,胡广勇,王超群,郑安生,钱嘉裕.GaAs高温退火过程中热应力对晶体缺陷的影响[J]半导体学报.2003,(09)
[9]肖清华,屠海令,王敬,周旗钢,张果虎.面向对注氢硅片中微结构的影响[J]半导体学报.2003,(12)
[10]黎建明,屠海令,郑安生,陈坚邦.不同加工工艺的锑化镓晶片损伤研究[J]稀有金属.2003,(02)
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[2]屠海令;.纳米集成电路用半导体材料的科学与技术问题[A].中国硅酸盐学会2003年学术年会论文摘要集.2003-06-30
[3]屠海令;.硅及硅基半导体材料的研究与发展[A].2003年新材料发展趋势研讨会演示文稿汇编.2003-12-01
[4]屠海令;.纳米集成电路用大直径硅及硅基材料研究进展[A].第五届中国功能材料及其应用学术会议论文集Ⅰ.2004-09-01
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