刘伊犁
【姓名】 刘伊犁
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;物理学;生物学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 离子束混合,薄膜反应,择优取向生长,钛硅,Ti膜,温度相关性,离子束,PtSi,高阻层,化学补偿,GaAs,硅化物,离子注入,感生,热退火,退火时间,扩散元素,标记实验,分凝,氧离子注入,背散射谱,原...
【工作单位】 北京师范大学
【曾工作单位】 北京师范大学;
【所在地域】
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[1]刘伊犁，罗晏，李国辉，姬成周.B离子在n（Si）－GaAs层中的化学补偿效应[J]半导体学报.1996,(05)
[2]李国辉,姬成周,刘伊犁,罗晏,韩德俊.GaAs中的离子注入技术[J]原子核物理评论.1997,(03)
[3]张荫芬;蓝李桥;张孝吉;刘伊犁;.快中子辐照抗菌素产生菌诱变育种的研究[J]北京师范大学学报(自然科学版).1983,(01)
[4]王忠烈,胡仁元,刘伊犁,王文勋,吕建强.多层W-Cu和Ta-Cu系统离子束混合的温度相关性[J]核技术.1986,(08)
[5]胡仁元;王忠烈;刘伊犁;谢葆珍;.硅上硅化钛相变和生长动力学研究[J]北京师范大学学报(自然科学版).1986,(01)
[6]胡仁元,王忠烈,刘伊犁.钛硅之间的薄膜反应[J]固体电子学研究与进展.1987,(03)
[7]刘伊犁;姬成周;林文廉;.MOSi_2生长动力学研究[J]北京师范大学学报(自然科学版).1988,(04)
[8]杨丽佳,刘伊犁,李恒德.离子束感生PtSi的择优取向生长[J]核技术.1989,(04)
[9]姬成周;黄致新;刘伊犁;.杂质氧在离子束混合形成MoSi_2中的行为[J]北京师范大学学报(自然科学版).1989,(04)
[10]刘伊犁,罗晏,姬成周,李国辉.氧离子注入p型(Be)-GaAs形成高阻层的研究[J]固体电子学研究与进展.1991,(03)
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