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[2]张通和,吴瑜光,肖志松,刘安东.Er离子注入Si和SiO_2/Si溅射和外扩散对浓度分布的影响[J]核技术.2005,(03)
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[3]肖志松,徐飞,程国安,易仲珍,张通和.EVVA源离子束合成镧硅化物[J]北京师范大学学报(自然科学版).2000,(02)
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[4]徐飞,肖志松,程国安,张通和,易仲珍,王水凤,谢大韬.MEVVA离子源金属掺杂蓝宝石着色的研究[J]北京师范大学学报(自然科学版).2000,(03)
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[5]肖志松,徐飞,谢大韬,程国安,张通和.MEVVA源离子注入在宝石着色中的应用[J]宝石和宝石学杂志.2000,(04)
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[6]徐飞,程国安,肖志松,朱景环,王水凤,张通和.MEVVA离子源(Si,Er)双注入热氧化SiO_2/Si薄膜近红外光致发光的研究[J]国外金属热处理.2000,(02)
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[7]肖志松,徐飞,张通和,程国安,杨锡震,顾岚岚,王迅.提高掺Er硅发光效率的途径与前景[J]材料导报.2000,(10)
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[8]徐飞,肖志松,程国安,易仲珍,曾宇昕,张通和,顾岚岚.(Si,Er)双注入热氧化SiO_2/Si薄膜的表面结构及1.54μm光发射[J]半导体学报.2001,(10)
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[9]肖志松,徐飞,张通和,易仲珍,程国安.钕离子注入单晶硅光致发光的起源(英文)[J]半导体学报.2001,(11)
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[10]徐飞,肖志松,张通和,程国安,易仲珍,曾宇昕,顾岚岚.(Si,Er)双注入单晶硅近红外光发射 [J]北京师范大学学报(自然科学版).2001,(04)
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