李国辉
【姓名】 李国辉
【职称】 研究员;
【研究领域】 无线电电子学;物理学;工业通用技术及设备;
【研究方向】
【发表文献关键词】 SOI,散射矩阵,钨膜,硅,离子反应刻蚀,Ge/GaAs,白光快速退火,InGaAs/InGaAsP,数值计算,锗,微波晶体管,界面扩散,量子阱混合,波长蓝移,再结晶,离子注入,光致发光谱,刻蚀速率,...
【工作单位】 北京师范大学
【曾工作单位】 北京师范大学;
【所在地域】 北京
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[1]魏东平;李国辉;韩卫;朱恩均;周均铭;.穿通型高增益AlGaAs/GaAs光电晶体管[J]高技术通讯.1992,(10)
[2]韩德俊;李国辉;韩卫;魏东平;阎凤章;朱恩均;周均铭;黄绮;.新型AlGaAs/GaAs穿通型光电晶体管[J]高技术通讯.1993,(10)
[3]李国辉;张通和;阎风章;罗晏;.硼和砷注入硅白光快速退火的研究[J]微电子学与计算机.1988,(10)
[4]任永玲,于理科,李国辉,姬成周.新型垂直沟道的NPN型偶载场效应晶体管的设计及特性[J]北京师范大学学报(自然科学版).2003,(01)
[5]蔡一茂,姬成周,李国辉.用改进的EM模型研究数字集成晶体管中的寄生晶体管效应[J]北京师范大学学报(自然科学版).2003,(02)
[6]于理科,郭慧民,任永玲,李国辉,姬成周.全离子注入NPN型偶载场效应晶体管的离子注入工艺研究[J]北京师范大学学报(自然科学版).2003,(03)
[7]杨茹,李国辉,姬成周,田晓娜,韩德俊,马本堃.一种单基极引出结构的硅晶体管[J]半导体学报.2005,(02)
[8]杨茹,李国辉,姬成周,田晓娜,韩德俊,于理科,任永玲,马本堃.全离子注入薄基区硅晶体管的研究[J]微电子学.2005,(01)
[9]刘超,李国辉,韩德俊.用离子注入的方法实现InGaAs/InGaAsP激光器材料的量子阱混合[J]功能材料与器件学报.2000,(03)
[10]李国辉,杨茹,于民,韩卫,曾一平.InGaAs/InP中离子注入和新型HPT[J]功能材料与器件学报.2000,(03)
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中国重要会议全文数据库    共找到3篇
[1]杨富坤;李国辉;.基于VIIRS DNB夜间气溶胶光学厚度反演研究[A].第二十五届大气污染防治技术研讨会论文集.2021-04-10
[2]周虹珊;杨茹;李国辉;梁琨;韩德俊;李秀芝;田喜卓;.新结构光电晶体管的研究[A].第十五届全国核电子学与核探测技术学术年会论文集.2010-08-13
[3]孙贵如;李国辉;姬成周;张燕文;.MeV级高能Si离子注入GaAs的HVEM研究[A].第七次全国电子显微学会议论文摘要集.1993-04-01
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